이 50W 광대역 전력 증폭기는 4~8GHz 주파수 범위에서 강력한 출력 전력이 필요한 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 RF 모듈입니다. 고급 GaN(질화갈륨) 기술을 활용하여 넓은 순간 대역폭에 걸쳐 높은 전력 밀도, 탁월한 효율성 및 안정적인 선형성을 제공합니다. 이 앰프는 까다로운 환경에서도 안정성, 내구성 및 일관된 성능을 제공하도록 설계되었습니다.
광대역 성능: 대역 전환 없이 전체 4~8GHz(C-대역) 스펙트럼에서 원활하게 작동합니다.
높은 출력 전력: 대역 전반에 걸쳐 최소 50W(47dBm)의 일반적인 포화 출력 전력을 제공합니다.
고이득: 50dB(최소)의 일반적인 소신호 이득을 제공하여 저전력 소스에서 효과적인 신호 증폭을 보장합니다.
우수한 이득 평탄도: 균일한 성능을 위해 전체 주파수 범위에 걸쳐 일반적으로 ±1.5dB의 우수한 이득 평탄도를 유지합니다.
고효율: 고효율 설계를 통합하여 일반적으로 30% PAE(전력 추가 효율)를 달성하고 열 부하 및 DC 전력 소비를 줄입니다.
강력한 선형 성능: 일반적으로 47dBm을 넘는 높은 1dB 압축점(OP1dB)을 제공하여 다양한 변조 방식에 대해 선형 및 포화 증폭을 모두 지원합니다.
통합 보호 및 제어: 역전압 보호, 과열 차단, 출력 과부하/VSWR 보호 등 포괄적인 안전 기능이 포함되어 있습니다. 바이어스 제어, 활성화/비활성화(TTL) 및 상태 모니터링을 위한 표준 아날로그 인터페이스입니다.
열 관리: 효율적인 베이스플레이트 냉각 시스템으로 설계되어 최대 부하 조건에서 안정적인 작동을 보장합니다. 작동 케이스 온도 범위: -40°C ~ +85°C.
견고한 구조: 탁월한 차폐 및 환경 탄력성을 위해 견고하고 밀봉된 금속 패키지에 내장되어 있으며 군사, 항공우주 및 산업 응용 분야에 적합합니다.
|
아니요. |
설명 |
상징 |
최소 |
일반 |
맥스 |
단위 |
주목 |
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1. |
작동 주파수 |
흑백 |
4000 |
|
8000 |
MHz |
|
|
2. |
입력 전원 |
핀 |
|
0 |
|
dBm |
|
|
3. |
출력 전력 CW |
프삿 |
47 |
48.5 |
49.5 |
dBm |
연속파 |
|
4. |
전력 이득 |
GP |
47 |
|
49.5 |
dBm |
@ 핀=0dBm |
|
5. |
전력 이득 평탄도 |
△Gp |
|
±1.5 |
|
데시벨 |
@ 핀=0dBm |
|
6. |
소형 신호이득 |
G |
49 |
50.5 |
52 |
데시벨 |
@ 핀=-5dBm |
|
7. |
소형 신호 이득 평탄도 |
△G |
|
±2 |
|
데시벨 |
@ 핀=-5dBm |
|
8. |
입력 반사 손실 |
S11 |
|
-15 |
|
데시벨 |
|
|
9. |
작동 전압 |
Vdc |
28 |
28 |
32 |
V |
|
|
10. |
현재 소비 |
A |
|
6 |
8 |
A |
@ 파우트=50~90W |
|
11. |
작동 온도 |
|
-40℃~+50℃ |
|
|
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|
12. |
RF 커넥터 입력 |
|
SMA, 여성 |
|
|
||
|
13. |
RF 커넥터 출력 |
|
SMA, 여성 |
|
|
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|
14. |
무게 |
|
|
0.439 |
0.50 |
kg |
|
|
15. |
길이*너비*높이 |
|
134*80*22 |
mm |
|
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|
16. |
입력 전원 |
핀맥스 |
-5 |
|
5 |
dBm |
|
|
17. |
인터페이스 정의 (7W2 여성) |
VDD |
A1 |
지면 |
|
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|
접지 |
A2 |
28Vdc |
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||||
|
전류 감지 |
1 |
모듈 전류에 따른 아날로그 전압@100mV/A |
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||||
|
온도 감지 |
2 |
모듈 온도에 따른 아날로그 전압@10mV/℃ |
|
||||
|
할 수 있게 하다 |
3 |
증폭기 활성화 |
증폭기 활성화:TTL 로직 하이(3.3V) (내부 풀링-로우) |
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|
접지 |
4 |
지면 |
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전반적인 차원 |
메모:
1、 전체 치수는 참조용입니다. 2、 고객의 요구 사항에 따라 크기를 적절하게 늘리거나 줄일 수 있습니다. 3、 입력 인터페이스, 출력 인터페이스 및 전원 공급 장치 인터페이스의 위치는 고객의 실제 요구에 따라 변경될 수 있습니다. |
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